글로벌 파운드리 선단공정 경쟁 심화
AI 반도체 수요 급증에 대응하기 위해 삼성전자와 TSMC가 각각 4나노 증설 및 1.4나노 신규 라인 구축을 추진하며 파운드리 기술 주도권 경쟁이 격화되고 있음.
원인
HBM4 베이스다이 수요 증가로 인해 삼성전자 파운드리 4나노 공정의 생산능력 확대 필요성이 대두됨
영향이 전달되는 경로
HBM4 성능 향상을 위해 4나노 로직 공정 베이스다이 채택 → HBM 수요 증가가 파운드리 첨단공정 수요로 직결 → 삼성전자 내부 메모리 사업이 파운드리의 핵심 수요처로 부상 → 파운드리 가동률 상승 및 생산능력 증설 검토
확인된 변화
- 삼성전자가 HBM4 베이스다이 수요 대응을 위해 4나노 공정 증설을 검토 중
이어진 일
- 2026-09-23 · AI 가속기 및 HBM 수요 폭증으로 인해 파운드리 선단공정(4나노 이하)의 공급 부족이 심화되면서 삼성전자와 TSMC가 대규모 설비 투자 경쟁에 돌입함.