원인

미국의 대중 반도체 장비 수출 규제로 EUV 도입이 차단되자, 중국이 DUV 장비를 극한으로 활용하는 독자적 3나노 GAA 공정 경로를 개발함.

영향이 전달되는 경로

미국의 EUV 수출 통제 → 중국의 첨단 장비 확보 불가 → 중국과학원의 DUV 기반 3나노 GAA 공정 연구 → 초기 물리적 통합 성공 → 향후 양산 수율 확보 시 서방 기술 제재의 실효성 약화 및 중국 반도체 자립 가속화

확인된 변화

• 중국과학원 산하 마이크로전자연구소(IMECAS)가 DUV 노광 도구를 사용해 3나노급 GAA 트랜지스터 초기 물리적 통합 공정을 완료함.

이어진 일

• 2026-09-16 · 화웨이가 '타오의 법칙'을 적용한 기린 9050 프로를, 샤오미가 3나노급 쉬안제 O3 칩을 개발하여 자사 스마트폰에 탑재하며 반도체 기술 내재화를 가속화함.
• 2026-09-07 · 화웨이가 '타우 법칙'을 적용한 '기린 2026' 칩의 발열 문제에 대해 트랜지스터 밀도 향상과 전력 소비 절감 성과를 담은 논문을 발표하며 기술적 우위를 주장함.
• 2026-09-07 · 화웨이가 로직 폴딩 기술의 치명적 약점이었던 발열 문제를 해결하고, 기린 2026 칩의 실측 데이터를 통해 전력 효율 개선을 입증함.

반대 신호

• 양산 수율 확보의 불확실성
• 멀티 패터닝으로 인한 생산 단가 급등 및 경제성 부족