중국 메모리 반도체 증설에 따른 장기 경쟁 심화 우려
중국 CXMT 등 메모리 업체들의 대규모 자금 조달과 공격적인 증설이 장기적으로 글로벌 D램 공급 과잉을 유발하고 국내 반도체 기업들의 밸류에이션을 제약할 수 있다.
원인
골드만삭스 보고서에 따르면 중국의 첨단 반도체 웨이퍼 공급량이 연평균 46% 증가하고, CXMT가 2년 내 중국 D램 수요의 50%를 자급할 것으로 전망됨
영향이 전달되는 경로
중국 정부의 반도체 산업 지원 및 기업 설비 증설 → 첨단 공정 웨이퍼 공급량 급증 → 중국 내 반도체 자급률 상승 → 글로벌 메모리 시장 내 삼성전자·SK하이닉스 점유율 위협 및 가격 경쟁 심화
확인된 변화
- 중국 반도체 자급률 2010년 38%에서 2026년 70%까지 상승
이어진 일
- 2026-08-13 · 중국 D램 업체인 CXMT가 대규모 자금을 조달하여 허페이와 상하이 공장 증설에 나서는 등 중국 메모리 업계가 공격적으로 생산능력을 확대하고 있다.
반대 신호
- CXMT와 삼성전자·SK하이닉스 간 여전히 2~3세대 기술 격차 존재
- 중국 반도체 생태계 내 노광장비 등 핵심 장비 수급의 한계